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个人简历

张兴 19658月出生,信息科学技术学院教授,副院长

1986年  南京大学 学士   论文 难熔金属钛的硅化物真空快速热退火及其接触性能研究

1989年  陕西微电子所 硕士 论文 MOS/SOS器件的漏电研究及300CMOS/SOS门阵列研制

1993  陕西微电子所 博士 论文 亚微米SOI工艺开发、器件电路模拟及ASIC研制

19936月-19955月,北京大学微电子学研究所微电子学与固体电子学专业博士后

 

成果概述

    张兴同志自1993年博士后入站以来,先后主持了国家重大基础研究规划(973)项目(担任项目的首席科学家)863、国家自然科学基金、国家重点科技攻关以及国际合作等十余项科研项目,均出色完成了任务,总科研经费达数千万元。在这期间,他主要致力于小尺寸MOS器件、CMOS工艺和SOI技术的研究,取得了一系列富于创新的科研成果,其中主要的如下:

(1) 全面研究了CoSi2栅对器件辐照特性的影响,首次得出了采用CoSi2自对准栅可以提高器件抗总剂量辐照能力的结论。

(2) 开发了系列深亚微米SOI器件模型和CMOS/SOI电路模拟软件,在国内首次实现了深亚微米CMOS/SOI电路的模拟。该软件已销售到香港城市大学、航天科技集团等多家单位。

(3) 在国内第一个研制出沟长为0.15mm的新型凹陷沟道SOI器件。

(4) 提出并研制了SOI退火推进型栅控混合管(DGCHT)新结构,改善了以前GCHT击穿电压较低、Early效应较大等问题,获发明专利。

(5) 研制出门延迟时间为55ps的薄膜全耗尽51CMOS/SOI环振电路,为国内目前最高水平。

(6) 首次提出了大剂量氧离子注入过程中溅射产额与注入能量的简洁关系式,完成了一个快捷准确的SIMOX厚度计算程序POISS

(7) 主持开发了抗辐照CMOS/SOI全套工艺,并已经转让到信息产业部47所、北京宇翔电子有限公司等。

(8) 主持开发的抗辐照CMOS/SOI专用集成电路已应用于中国工程物理研究院、航天工业总公司等。

自博士后入站以来,共出版著作2部,发表学术论文120余篇;获得信息产业部科技进步二等奖、国家科技攻关重大成果奖等奖励7项;获发明专利1项。

     在教学方面新开一门本科生学校主干基础课《微电子学概论》,主讲一门研究生课,能够将最新的科研成果和国内外的进展有机地融入课堂教学中,得到了同学们的好评。

承担项目

项目名称

项目来源和项目批号

项目经费

系统芯片(System On A Chip)中新器件新工艺的基础研究

国家重大基础研究规划项目(973项目)G20000365

3000万元

包含数字电路、存储器电路以及高频通讯电路的SOI集成系统芯片技术研究与开发

国家自然科学基金

39万元

Gated-diode method applicability development and sensitivity analysis

与美国Motorola公司合作研究项目

6万美元

半导体器件及工艺的模拟程序开发

与日本富士通公司合作研究项目

10万美元

论著目录
  在博士后期间及出站后发表或出版的代表性论文、著作

论文、专著名称

全部作者署名顺

发表或出版时间

刊物或出版社名称

微电子学概论

张兴,黄如,刘晓彦

1999

北京大学出版社[著作]

用于VLSI的小尺寸MOS器件模型

张兴,李映雪

1999

科学出版社[著作]

采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究

张兴,黄如,王阳元

2000

半导体学报[EI收录]

0.15mm 薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制

张兴,王阳元,

2000

半导体学报[EI收录]

Equivalent Junction Transformation: A Semi-Empirical Analytical Method for Predicting the Breakdown Characteristics of Cylindrical- and Spherical-Abrupt P-N Junctions

Jin He, Xing Zhang, Ru Huang, Y.Y.Wang

2000

Solid State Electronics [SCIEI收录]

Investigation of the breakdown characteristics of SOI gate controlled hybrid transistors

Huang Ru, Zhang Xing,  Wang Yangyuan

2000

Chinese Journal of Electronics [SCIEI收录]

Photoluminescence Spectroscopy of SIMOX

Yingxue Li, Xing ZhangYan Luo, Yangyuan Wang,

1999

Journal of Non-Crystalline Solids [SCIEI收录]

高质量栅氧化层制备及其辐照特性研究

张兴,王阳元

1999

半导体学报[EI收录]

凹陷沟道SOI器件的实验研究

张兴,Mansun Chan, Ping K. Ko, 王阳元

1998

半导体学报[EI收录]

The investigation of recessed channel SOI devices

X. Zhang, R.Huang, X. Xi, M. Chan, P. K. Ko, Y. Wang

1998

ICSICT'98国际学会会议[特邀报告,被EI收录]

The effect of cobalt salicide on SOI CMOS radiation characteristics

Xing Zhang, Xuemei Xi, Ru Huang, Yangyuan Wang

1998

ICSICT'98国际学会会议[EI收录]

A high-performance SOI Drive-in Gate Controlled Hybrid Transistor (DGCHT),

R. Huang, X. Zhang, Y. Wang

1998

IEEE Trans. on Electron Devices [SCIEI收录]

A high-performance current mirror using SOI Gate Controlled Hybrid Transistor (GCHT)

Ru Huang, Xing Zhang, Yangyuan Wang

1997

IEEE Int. SOI Conference [EI收录]

薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟

张兴,王阳元

1997

半导体学报[EI收录]

低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制

张兴, 奚雪梅, 王阳元

1997

半导体学报[EI收录]

薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟

张兴,王阳元

1997

半导体学报[EI收录]

深亚微米薄膜CMOS/SOI电路的集成器件线路模拟

张兴, 石涌泉, 黄敞

1996

电子学报[EI收录]

短沟道CMOS/SIMOX器件及电路的辐照特性研究

张兴,  王阳元

1996

电子学报[EI收录]

短沟道CMOS/SOI器件加固技术研究

张兴, 奚雪梅, 王阳元

1996

半导体学报[EI收录]

1.5mm全耗尽CMOS/ SIMOX门阵列的研制

张兴, 魏丽琼, 王阳元

1996

半导体学报[EI收录]

短沟道CMOS/SIMOX器件及电路的辐照特性研究

张兴,王阳元

1996

电子学报[EI收录]

短沟道CMOS/SOI器件加固技术研究

张兴,奚雪梅,王阳元

1996

半导体学报[EI收录]

双固相外延技术及高性能1mm CMOS/SOS器件研究

张兴, 石涌泉, 黄敞