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进 |
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个人简历 |
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何
进
男，1966年12月出生，北京大学
信息学院教授
1988年7月
天津大学 学士论文
新电阻介质材料的研制
1993年7月
电子科技大学
硕士论文
BNT微波介质材料的研制
1999年9月
电子科技大学 博士论文
SDB技术和新结构IGBT功率器件的理论和实验研究
1999年10月－2001年7月
北京大学信息学院微电子学专业博士后
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教学科研 |
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何进博士自1999年博士后入站以来先后承担了多项重要的研究项目，取得了一系列创新研究成果，成绩显著，在半导体器件领域具有较大的学术影响。
他取得主要创新学术成果有：（1）在新结构器件研究方面，他作为骨干成员参加了973项目“系统芯片中新器件新工艺基础研究”，提出了纳米MOSFET器件的创新SON-MOSFET技术方案、非对称栅MOSFET新结构等，这些成果得到了国内外同行的好评。（2）在PN结理论研究方面，提出了等价结转换理论与技术，具有重要的理论和实际应用价值。（3）在功率器件研究方面，提出了穿通结优化理论，为单极和双结器件提供了设计准则。（4）在MOSFET特性研究方面，提出了普遍的线性余因子差分谱理论和技术，引起了国际同行的关注。（5）在器件模型研究方面，提出了创新的SPP方案，从器件基本物理发展基于器件物理而非半经验的芯片仿真物理模型，得到了TI、Intel、IBM等众多国际知名公司的支持，该工作已经通过TI、Intel、IBM等多家公司的使用和验证，被CMC在2005年3月确定为下一代国际VLSI工业标准模型的四个候选者之一。
何进博士在此期间发表学术论文54篇，大多被SCI/EI收录，特别值得强调的一点是，他在微电子器件领域最高水平的学术期刊IEEE
Transcation on ED/IEEE EDL上发表论文6篇，且他的论文被国际同行引用20余次，在国际同行中具有较高的知名度。
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承担项目 |
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项目名称
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项目来源和项目批号
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项目经费(万)
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20-50纳米CMOS器件、结构及相关物理问题研究 |
国家重大基础研究项目(973)子项目(G2000365-01) |
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SOI界面陷阱及体陷阱的表征 |
(2000-2001年北京大学与Motorola公司国际联合项目)：(MSPSDDLCHINA-0004). |
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BSIM Next Generation
Model Research and Development:
Surface-Potential-Plus |
SRC2003-NJ-1149 |
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论著目录 |
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| 在博士后期间及出站后发表或出版的代表性论文、著作 |
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论文、专著名称
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全部作者署名顺序
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发表或出版时间
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刊物或出版社名称
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Normalized mutual integral difference method to
extract threshold voltage of MOSFETs. |
Jin He, Xuemei
Xi, Mansun Chan, Chenming Hu, Zhang Xing, etc. al., |
2002, vol.19, July:428-30 |
IEEE Electron Device Letters, EDL |
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New method for the extraction of MOSFET parameters |
Jin He, Xing Zhang, Yangyuan Wang |
2001, vol.18, Dec:597-9. |
IEEE Electron Device Letters, EDL |
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Linear cofactor difference method of MOSFET sub-threshold characteristics
to extract the interface traps induced by the gate oxide
stress. |
Jin He, Xing Zhang, Ru Huang,
Y.Y.Wang |
2002,vol.49, FEB:331-4 |
IEEE Electron Device Letters, EDL |
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Predicting 3-D Effect of Curved-Abrupt P-N
Junctions
by
Equivalent Junction Method. |
Jin He, Xuemei Xi, Mansun Chan,
Chenming Hu, Y.Y.Wang |
2002, vol.49, July:1322-5. |
IEEE Electron Device Letters, EDL |
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Equivalent Doping Profile Transformation: A
Semi-Empirical Analytical Method for Predicting Breakdown
Characteristics of an Approximate Single-Diffused
Parallel-Plane Junction. |
Jin He, Xing Zhang, Y.Y.Wang |
2001, vol.48, Dec: 2763-8. |
IEEE Electron Device Letters, EDL |
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A simple method to Optimize 6H-SiC
punch-through structure used for both in unipolar and
bipolar devices. |
Jin He, Y.Y.Wang, Xing Zhang, Xuemei Xi, Mansun Chan,
Chenming Hu, Ru Huang |
2002, vol.49, May:933-7. |
IEEE Electron Device Letters, EDL |
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Equivalent Junction Transformation: A Semi-Empirical Analytical Method
for Predicting the Breakdown Characteristics of Cylindrical-
and Spherical-Abrupt P-N Junctions. |
Jin He, Xing Zhang, Ru Huang, Y.Y.Wang. |
2000, 44 (12): pp.2171-2176. |
Solid State Electronics |
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Analytical Model of Three Dimensional Effect on Voltage and Edge Peak
Field Distributions and Optimal Space for Planar Junction
with a Single Floating Field Limiting Ring. |
Jin He, Xing Zhang, Ru Huang,
Y.Y.Wang, Xingbi Chen |
2001, 45 (1): pp. 75-79. |
Solid State Electronics |
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Comments on “A Closed Form Expression for
Punch-Through Limited Breakdown Voltage of Parallel-Plane Junction. |
Jin He, Xing Zhang, Ru Huang,
Y.Y.Wang |
2001, 45 (3): pp. 535-536. |
Solid State Electronics |
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A novel experimental technique: combined
gated-diode method for extracting the lateral distribution
of interface states in MOSFET/SOI. |
Jin He, Xing Zhang, Ru Huang,
Y.Y.Wang |
2001, 45(7): pp.1107-1113. |
Solid State Electronics |
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荣誉称号 |
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奖励名称（全称）
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等
级
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本人排名(列出全部获奖者)
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2001年：科技进步奖: 高速CMOS/SOI电路研究
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信息产业部
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张兴，黄如，
何进， 余民，等
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2001年：科技进步奖: SOI新材料、新器件研究 |
信息产业部 |
黄如,
张兴, 余民，
何进，等 |
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2003年：2002SCI论文收录电子学领域全国第一名 |
中国科技部
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何进 |
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1999年：第一届江海杯“电子元件与材料”
优秀论文二等奖(1998). |
中国电子学会元件分会
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何进,陈星弼
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2000年：第二届江海杯“电子元件与材料”
优秀论文三等奖(1999). |
中国电子学会元件分会 |
何进,陈星弼，杨传人，刘世程 |
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