徐 东 升 男，1968年4月出生，北京大学化学学院教授

1986年6月 武汉大学 学士 四苯基卟啉磺酸钠溶解度与溶解热的测定

1994年4月 哈尔滨工程大学 硕士论文  大功率Ca/SOCl2电池性能研究

1998年6月 北京大学 博士论文  多孔硅的定向合成与性能研究  

1998年7月－2000年6月 北京大学化学学院物理化学专业博士后 

研究方向

高多孔度多孔硅的表面修饰与性能研究

高表界面固体分子工程与纳米结构设计、制备与组装

氧化钛纳米线阵列太阳能电池研究

  徐东升博士一直以电化学为主要研究手段，开展低维纳米结构功能材料的制备、结构控制与表面化学研究，在纳米尺度上研究其物理化学性能，进而揭示结构与性能之间的内在联系。所取得的主要成绩如下：

一、一维纳米材料阵列的电化学合成、结构控制与性能研究

（1）发展了直流电化学沉积制备高质量有序半导体晶体纳米线阵列方法，获得了一系列直径均一、取向一致的II-VI族化合物半导体如CdS、CdSe和CdTe等以及I-VI族化合物半导体Ag2Se、Ag2Te等纳米线阵列。（J. Phys. Chem. B, 2000；Chem. Phys. Lett., 2000;2003; Pure Appl.Chem., 2000; J. Mater. Res., 2002; J. Mater. Chem., 2002;2003; J. Electrochem. Soc.,2003; Electrochem. Chemmun., 2003）。（2）建立了电化学诱导化学沉积方法，制备出单晶CdS纳米线。这一结果发表在Adv. Mater. 2000, 12, 520上。截止到2005年6月，已被他人引用110余次。（3）建立了一种电化学诱导的溶胶-凝胶过程制备氧化物半导体纳米线的新方法，制备出了直径在10-200纳米范围内、长度可任意由电化学参数控制的单晶TiO2纳米线阵列。此方法解决了通常溶胶-凝胶模板合成中溶胶或凝胶难以注入小尺寸孔洞（50nm以下）的问题，为氧化物以及复合氧化物单晶纳米线的合成提供一条有效途径。该工作已发表在Nano Lett.及Electrochem. Commun.上，并受到了国内外同行的关注。Adv. Mater. 上的一篇综述文章以及印度著名材料化学家C.N.N Rao在Progress in Solid State Chemistry上的一篇综述文章都使用了大段的文字来介绍这一工作。国际大公司美国通用电气公司（GE）主动要求合作并签订协议，共同开发基于单晶TiO2纳米线的高性能太阳能电池。（4）建立了一种多步模板复型制备无机纳米管阵列的新方法。利用电化学沉积方法，制备出了高度有序、管径均一的Pt、Bi、Au、Ni等金属以及CdS、CdSe等半导体纳米管阵列（Adv. Mater.,2004）。与化学气相沉积技术结合，获得了晶体Si的纳米管阵列，这种Si纳米管阵列的场发射性能优于目前已有的硅材料（Appl. Phys. Lett., 2005）。（5）利用超临界干燥技术与模板辅助电化学沉积方法相结合，获得了在导电金属基底上自支撑的有序纳米线阵列（J. Am. Chem. Soc.,2005）。解决了在湿法去除模板过程中长期存在的纳米线阵列的坍塌难题。（6）采用组成调控方法实现了对半导体纳米线的能带结构的连续调变（J. Phys. Chem. B, 2005）。

二、超高多孔度多孔硅自支撑的制备、光学性质及表面化学修饰研究

（1）多孔硅的光致发光与纳米硅单元之间的关系是多孔硅发光机制研究中的焦点问题。由于消除了单晶硅衬底的影响，在自支撑的多孔硅膜上能够进行普通多孔硅不能进行的研究，比如光吸收、载流子传输性能以及光吸收和光致发光的直接比较等，从而获得有关多孔硅中纳米硅单元的尺寸及能带结构信息。被推荐人等建立了一种采用超临界干燥技术与阳极氧化-电化学抛光、化学溶解相结合的新方法，首次获得了多孔度大于90%、在空气中不蹋缩的自支撑的多孔硅膜 (Electrochem. Solid-State Lett. 1998; J. Phys. Chem. B 1999)。在此基础上，对低温热氧化的多孔硅自支撑膜的光学性质与发光机制进行了详细研究。在多孔硅自支撑膜上观察到了氧化多孔硅的光致发光峰位的会聚现象；采用拉曼光谱方法，获得了多孔硅在热氧化过程中纳米粒径逐渐减小的直接证据(J. Appl. Phys., 1999)。进一步地，当纳米粒子尺寸足够小时，纳米硅粒将发生从晶态向非晶态的转变(Physica Status Solidi (a), 2000)。并观察到氧化多孔硅的光吸收边随氧化时间的增加，先红移然后蓝移这一反常现象(Pure Appl. Chem., 2000)。（2）建立了一种基于有机胺催化水解反应的多孔硅表面硅烷化修饰的新方法。在微量水、有机胺的存在下，新鲜制备的多孔硅可直接水解生成单层的羟基化的表面，该羟基化的表面进一步与各种硅烷化试剂反应，形成各种Si-O-Si-C修饰的表面。实验证实，这种Si-O-Si-C表面有着与Si-C表面相似的化学稳定性，具有强的抗氧化、抗强酸强碱腐蚀能力，同时，又保持了多孔硅强的发光效率(New J. Chem., 2003)。

三、硅基碳纳米管的取向生长与场发射性能研究

采用直接在阳极氧化的多孔硅孔内合成催化剂然后气相沉积的方法，在硅基上获得了产量高、管径可调、石墨化程度较高、具有一定取向性的碳纳米管阵列。研究表明，这种硅基取向碳纳米管阵列具有优异的场发射性能。此项工作在Appl.Phys. Lett. (1999, 75, 481)上发表后，受到了国内外同行的关注，已被他人引用40余次。Appl. Phys. A上的一篇综述文章使用了较大的篇幅来介绍这一工作。

四、纳米材料的形态控制电沉积

利用无机离子、有机小分子作为形状控制剂，对电沉积ZnO的形貌进行了调控（J. Phys. Chem. B, 2005）。为纳米材料的形态控制合成提供了新的思路。

多年来，徐东升博士 在半导体低维纳米结构功能材料的研究中，坚持自主创新，取长补短，取得了一些有创造性的成果，受到国内外同行的关注。在包括J. Am. Chem. Soc.、Adv. Mater.、Nano Lett.、Appl. Phys. Lett.、J. Phys. Chem.等在内的高水平学术刊物上发表SCI收录的学术论文四十余篇。2001年以来，上述工作被他人引用340余次。被推荐人应《纳米科学与纳米技术杂志》（JNN）主编Nalwa教授、Georgia理工学院王中林教授、加州大学洛山矶分校K. L. Wang教授和Riverside分校Alexander A. Balandin教授的邀请，在他们主编的《Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology》、《Nanowires and Nanobelts: Materials, Properties and Devices》和《Handbooks of Semicoductor Nanostructures and Nanodevies》三部专著中各撰写了一章，总结了我们在电化学合成一维纳米材料阵列方面的研究工作。主编Nalwa博士在接收函中称该章是对此纳米科技大全的杰出贡献。此外，还受到的会议主席美国惠普实验室Saif Islam博士的邀请，在于2004年十月举行的国际光学工程师协会（SPIE）会议上作邀请报告。

论文、专著名称

全部作者署名顺序

发表或出版时间

刊物或出版社名称

Electrochim Acta

奖励名称（全称）

等 级

本人排名(列出全部获奖者)

2002：中国化学会青年化学奖

中国化学会

北京大学优秀博士论文

北京大学

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